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IRLML2030TRPBF中文资料

IRLML2030TRPBF图片

IRLML2030TRPBF外观图

  • 大小:267KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N CH, 30V, 2.7A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Current Id Max:2.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 2.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.3V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:110pF @ 15V
  • 功率 - 最大:1.3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRLML2030TRPBFTR

IRLML2030TRPBF供应商

更新时间:2023-01-21 09:08:21
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